| 型号：SR201E683MARTR1 | 类别：陶瓷 | 制造商：AVX Corporation |
| 封装：径向 | 描述：CAP CER 0.068UF 100V 20% RADIAL | |
详细参数
| 类别 | 陶瓷 |
|---|---|
| 描述 | CAP CER 0.068UF 100V 20% RADIAL |
| 系列 | SkyCap® SR |
| 制造商 | AVX Corporation |
| 电容 | 0.068µF |
| 电压_额定 | 100V |
| 容差 | ±20% |
| 温度系数 | Z5U |
| 安装类型 | 通孔 |
| 工作温度 | 10°C ~ 85°C |
| 应用 | 通用 |
| 等级 | - |
| 封装/外壳 | 径向 |
| 大小/尺寸 | 0.200" L x 0.125" W（5.08mm x 3.18mm） |
| 高度_安装111最大值222 | 0.200"（5.08mm） |
| 厚度 | |
| 厚度111最大值222 | - |
| 引线间距 | 0.100"（2.54mm） |
| 特性 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 故障率 |
供应商
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 深圳市同亨电子有限公司 | 洪小姐，微信18922857317【0755-23816885】/【18922857317】 |
SR201E683MARTR1相关型号
- SR201E224MAA
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- TC164-JR-073K9L
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 3.9K OHM 4 RES 1206
- STB34NM60N
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
- T95V106M6R3EZAL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- MT9HTF12872KY-40EA1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-MDIMM
MODULE DDR2 1GB 244-MDIMM
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Bourns Inc.
DO-214AA，SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BI 5% SMD
- SR201E224MAATR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- T95V106M6R3EZSL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- STB40N20
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
- TC164-JR-073RL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 3 OHM 4 RES 1206
- T97R108K6R3CAB
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 3024
- MT9HTF12872KY-53EA2
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 1GB 244-DIMM
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Littelfuse Inc
DO-214AA，SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BIDIR 5% SMB
- SR201E473MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.047UF 100V 20% RADIAL
- STB4N62K3
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
- T95V106M6R3HZAL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- TC164-JR-07510KL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 510K OHM 4 RES 1206
- T97R156K050CBB
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 15UF 50V 10% 3024
- MT9HTF12872PY-53EA1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 1GB 244-DIMM
- SMBJ8.5CA-E3/52
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Diodes Division
DO-214AA，SMB
TVS BIDIRECT 600W 8.5V 5% SMB
- T95V106M6R3HZSL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- STB4NK60ZT4
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
- TC164-JR-0751KL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 51K OHM 4 RES 1206
- MT9HTF25672AZ-667C1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-UDIMM
MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
- T97R156K050HAS
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 15UF 50V 10% 3024
- SMBJ8.5CA-TP
TVS - 二极管
Micro Commercial Co
DO-214AA，SMB
TVS 600W 8.5V BIDIR SMB
- SR201E683MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.068UF 100V 20% RADIAL
- STB50N25M5
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
- T95V155K035ESAL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 1.5UF 35V 10% 1410
- MT9HTF6472FY-53ED4E3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-DIMM
MODULE DDR2 512MB 240-DIMM
- TC164-JR-0756RL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 56 OHM 4 RES 1206
- T97R156M050LSB
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 15UF 50V 20% 3024
- SMBJ8.5-E3/52
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Diodes Division
DO-214AA，SMB
TVS UNIDIRECT 600W 8.5V 10% SMB
- SR202A680JAR
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 68PF 200V 5% RADIAL
- T95V155K035LZAL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 1.5UF 35V 10% 1410
- STB60NF10T4
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
- MT9HTF6472FY-667D4E3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-DIMM
MODULE DDR2 512MB 240-DIMM
- TC164-JR-0768KL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 68K OHM 4 RES 1206
- SMBJ8.5-E3/5B
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Diodes Division
DO-214AA，SMB
TVS UNIDIR 600W 8.5V 10% SMB
- T97R156M063CSA
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 15UF 63V 20% 3024
